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参数资料
| 型号： | BAS21LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 250V SOT23 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAS21LT1OSCT |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
March, 2014 ? Rev. 16
1
Publication Order Number:
BAS19LT1/D
BAS19L, BAS20L, BAS21L,
BAS21DW5
High Voltage
Switching Diode
Features
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
?
S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;
AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
BAS19
BAS20
BAS21
VR
120
200
250
Vdc
Repetitive Peak Reverse Voltage
BAS19
BAS20
BAS21
VRRM
120
200
250
Vdc
Continuous Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
625
mAdc
Junction and Storage Temperature
Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
Power Dissipation (Note 1)
PD
385
mW
Electrostatic Discharge
ESD
HM < 500
MM < 400
V
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Mounted on FR?5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
HIGH VOLTAGE
SWITCHING DIODE
5
CATHODE
1
ANODE
MARKING DIAGRAMS
http://onsemi.com
3
CATHODE
1
ANODE
4
CATHODE
3
ANODE
SOT?23 (TO?236)
CASE 318
STYLE 8
SC?88A (SOT?353)
CASE 419A
SOT?23
SC?88A
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
1
2
3
1
Jx M
x = P, R, or S
P = BAS19L
R = BAS20L
S = BAS21L or BAS21DW5
M = Date Code
= Pb?Free Package
2
3
Jx M
1
3
3
2
1
4
5
*Date Code orientation and/or overbar may vary
depending upon the manufacturing location.
(Note: Microdot may be in either location)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAS21LT3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21M3T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V HI VLTG SOT-723 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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