参数资料
型号: BAS21LT1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 66K
描述: DIODE SWITCH 200MA 250V SOT23
标准包装: 10
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 250V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: BAS21LT1OSCT
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOT?23 (TO?236)
CASE 318?08
ISSUE AP
D
A1
3
12
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH
THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM
THICKNESS OF BASE MATERIAL.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.
SCALE 10:1
mm
inches
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
SOLDERING FOOTPRINT*
VIEW C
L
0.25
L1
e
E
HE
b
A
SEE VIEW C
DIM
A
MIN NOM MAX MIN
MILLIMETERS
0.89 1.00 1.11 0.035
INCHES
A1
0.01 0.06 0.10 0.001
b
0.37 0.44 0.50 0.015
c
0.09 0.13 0.18 0.003
D
2.80 2.90 3.04 0.110
E
1.20 1.30 1.40 0.047
e
1.78 1.90 2.04 0.070
L
0.10 0.20 0.30 0.004
0.040 0.044
0.002 0.004
0.018 0.020
0.005 0.007
0.114 0.120
0.051 0.055
0.075 0.081
0.008 0.012
NOM MAX
L1
2.10 2.40 2.64 0.083
0.094 0.104
HE
0.35 0.54 0.69 0.014 0.021 0.029
c
0 ??? 10 0°
°
°
??? 10°
STYLE 8:
PIN 1. ANODE
2. NO CONNECTION
3. CATHODE
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
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参数描述
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BAS21LT3G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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