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参数资料
| 型号： | BAS21TM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 197K |
| 描述： | DIODE ARRAY 250V 250MA SOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 250mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAS21TM-7DIDKR |
BAS21TM
Document number: DS35388 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
BAS21TM
ADVANCE INFORMATION
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
250 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
250 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
177 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
200 mA
Average Rectified Output Current (Note 5)
IO
250 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 10μs
@ t = 100μs
@ t = 10ms
IFSM
10
6
2
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
300 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
417
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 5)
V(BR)R
250
?
V
IR
= 100μA
Forward Voltage
VF
?
?
1.0
1.25
V
IF
= 100mA
IF
= 200mA
Reverse Current (Note 5)
IR
?
100
100
nA
μA
VR
= 200V
VR
= 200V, T
J
= +150°C
Total Capacitance
CT
?
5 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
50 ns IF = IR = 30mA, Irr = 0.1 x IR, RL = 100?
Note: 5. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
125 175150
300
100
200
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
25
100
50
75
50
150
250
Note 5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
0.1
1
10
100
1,000
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21TW-7 | DIODE ARRAY 250V 200MA SOT363 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21TMQ-13 | 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 250MA SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:10,000 |
| BAS21TMR6T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:250V HIGH VOLTAGE SWITCHI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 250V HIGH VOLTAGE SWITCHI |
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| BAS21TPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:FAST SWITCHING DIODE VOLTAGE RANGE 250 Volts CURRENT 200 mAmpere |
| BAS21TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 |
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