- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录121 > BAS29_D87Z (Fairchild Semiconductor)DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BAS29_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 58K |
| 描述： | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 90V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS29
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
BAS29, Rev. A
BAS29
Small Signal Diode
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
3
1
2
SOT-23
1
2
3
L20
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 120 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 1.0 mA 120
V
VF* Forward Voltage IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 100 mA
IF = 200 mA
IF = 400 mA
0.75
0.84
0.90
1.00
1.25
V
V
V
V
V
IR* Reverse Current VR = 90 V
100
nA
VR = 90 V, TA = 150°C
100
μA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 30 mA, IRR = 3.0 mA,
RL = 100 ?
50 ns
*Pulse test : Pulse width=300us, Duty Cycle=2%
Connection Diagram
3
1
2NC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS40-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 350MW SOT23-3 |
| BAS40LP-7 | DIODE SCHOTTKY 40V 2-DFN |
| BAS40LT3G | DIODE SCHOTTKY 200MA 40V SOT-23 |
| BAS40SL | DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD-923 |
| BAS40T-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS29T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SW TAPE-7 |
| BAS30 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Battery Terminal (3/0)AWG Electro-Tin |
| BAS3005A | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Low VF Schottky Diode |
| BAS3005A-02V | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Low VF Schottky Diode |
| BAS3005A-02VE6327 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。