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参数资料
型号： BAS55
厂商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： High-speed diode
中文描述： 0.2 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数： 4/7页
文件大小： 43K
代理商： BAS55
1996 Sep 10
4
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diode
BAS55
GRAPHICAL DATA
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient temperature.
handbook, halfpage
0
100
200
200
0
100
MBG441
Tamb (
o
C)
IF
(mA)
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
handbook, halfpage
0
2
0
100
200
MBH279
1
IF
(mA)
VF (V)
T
j
= 25
°
C.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG703
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
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