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参数资料
| 型号： | BAS55 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High-speed diode |
| 中文描述： | 0.2 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BAS55 |
1996 Sep 10
5
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diode
BAS55
Fig.5
Reverse current as a function of
junction temperature.
(1) V
R
= 60 V; maximum values.
(2) V
R
= 60 V; typical values.
handbook, halfpage
IR
(
μ
A)
10
200
0
MBH282
100
Tj (
o
C)
1
10
2
10
1
2
(1)
(2)
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
10
20
30
VR (V)
1.5
0.5
0
1.0
MBH283
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