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参数资料
| 型号： | BAS70LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 70V SOT23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 70mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 15mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 70V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS70LT1GOSDKR |
     BAS70LT1G, NSVBAS70LT1G http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ?C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 A) V(BR)R 70 ? V Total Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz) CT ? 2.0 pF Reverse Leakage (VR = 50 V) (VR = 70 V) IR ? ? 0.1 10 A Forward Voltage (IF = 1.0 mA) VF ? 410 mV Forward Voltage (IF = 10 mA) VF ? 750 mV Forward Voltage (IF = 15 mA) VF ? 1.0 V 100 0.1 0 0.1 VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) 0.2 0.3 0.4 0.5 10 1.0 85?C 10 0.001 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 1.0 0.1 0.01 5.0 10 15 20 50 1.4 0 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 1.2 0.4 0.2 C T , CAPACITANCE (pF) 5.0 10 15 5020 25 30 35 40 45 I F , FORWARD CURRENT (mA) Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Reverse Current versus Reverse Voltage Figure 3. Typical Capacitance -?C 25?C TA = 150 ?C 25?C I R , REVERSE CURRENT ( ? A) 1.0 -?C 1?C 150?C 100 0.6 0.8 1.0 0.6 0.7 125?C 85?C 25 30 35 40 45 0.8 0.9 |
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PDF描述 |
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| BAS116LT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAS70LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Diode |
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