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参数资料
| 型号： | BAT54L,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 160K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
    2003 Jun 23 2 NXP Semiconductors Product data sheet Schottky barrier diode BAT54L FEATURES ? Low forward voltage ? Leadless ultra small plastic package (1 mm × 0.6 mm × 0.5 mm) ? Boardspace 1.17 mm2 (approx. 10% of SOT23) ? Power dissipation comparable to SOT23. APPLICATIONS ? Ultra high-speed switching ? Voltage clamping ? Protection circuits ? Mobile communication, digital (still) cameras, PDAs and PCMCIA cards. DESCRIPTION Planar Schottky barrier diode encapsulated in a SOD882 leadless ultra small plastic package. handbook, halfpage MDB391 Bottom view Fig.1 Simplified outline (SOD882) and symbol. Marking code: S3. The marking bar indicates the cathode. LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Note 1. Refer to SOD882 standard mounting conditions (footprint), FR4 printed-circuit board with 60 μm copper strip line. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage ? 30 V IF continuous forward current ? 200 mA IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1s; δ ≤ 0.5 ? 300 mA IFSM non-repetitive peak forward current tp < 10 ms ? 600 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C; note 1 ? 250 mW Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 150 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAT54L-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES |
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