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参数资料
| 型号： | BAT54L,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 160K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     2003 Jun 23 4 NXP Semiconductors Product data sheet Schottky barrier diode BAT54L GRAPHICAL DATA 3handbook, halfpage10 IF VF (V) 102 (mA) 10 1 10 1 0 1.2 0.8 0.4 MSA892 (2) (3) (1) (1) (2) (3) Fig.2 Forward current as a function of forward voltage; typical values. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 85 °C. (3) Tamb = 25 °C. 0102030V (V)R 10 3 IR (μA) 10 2 10 1 10 1 (1) (2) (3) MSA893 Fig.3 Reverse current as a function of reverse voltage; typical values. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 85 °C. (3) Tamb = 25 °C. 15handbook, halfpage 0 0102030VR (V) 5 10 Cd (pF) MSA891 Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tamb = 25 °C. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAT54L-CB2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES |
| BAT54LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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