参数资料
型号: BAV102
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 117K
描述: DIODE 150V 200MA LL34
标准包装: 2,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 150V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 150V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: MELF(LL-34)
供应商设备封装: LL-34
包装: 带卷 (TR)
BAV102 — High Voltage, General Purpose Diode
? 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.1.0 2
Electrical Characteristics
Values are at TC
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA200V
VF
Forward Voltage
IF
= 100 mA 1.00 V
IF
= 200 mA 1.25 V
IR
Reverse Current
VR
= 150 V 100 nA
VR
= 150 V, T
A
= 150
°C100μA
CTTotal Capacitance VR
= 0, f = 1.0 MHz 5.00 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF = IR
= 30 mA, I
RR
= 1 mA
RL
= 100
Ω
50 ns
相关PDF资料
PDF描述
BAV103 DIODE 200V 200MA LL34
BAV116W-7-F DIODE SWITCH 130V 250MW SOD123
BAV16WS-7-F DIODE SWITCH 75V 200MW SOD323
BAV19W-7-F DIODE SWITCH 100V 250MW SOD123
BAV19WS-7-F DIODE SWITCH 100V 200MW SOD323
相关代理商/技术参数
参数描述
BAV102 /T3 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV102 _R1 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAV102 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Switching 250V 0.2A
BAV102 T/R 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV102,115 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube