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参数资料
| 型号： | BAV103 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE 200V 200MA LL34 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-213AC（玻璃） |
| 供应商设备封装： | SOD-80 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAV103FSDKR |
BAV103 — High Voltage, General Purpose Diode
? 2004 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.1.0 2
Electrical Characteristics
Values are at TC
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA250V
VF
Forward Voltage
IF
= 100 mA 1.00 V
IF
= 200 mA 1.25 V
IR
Reverse Current
VR
= 200 V 100 nA
VR
= 200 V, T
A
= 150
°C100μA
CTTotal Capacitance VR
= 0, f = 1.0 MHz 5.00 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF = IR
= 30 mA, I
RR
= 1 mA
RL
= 100
Ω
50 ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
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