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参数资料
| 型号： | BAV103 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE 200V 200MA LL34 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-213AC（玻璃） |
| 供应商设备封装： | SOD-80 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAV103FSDKR |
BAV103 — High Voltage, General Purpose Diode
? 2004 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.1.0 3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Forward Charateristics
Figure 3. Reverse Characteristics Figure 4. Non-Repetitive Surge Current
Figure 5. Junction Capacitance
050100150
0
2
4
6
8
MOUNTED ON PC BOARD,
TA 0.5" (12.7mm) LEAD LENGTH
60Hz RESISTIVE OF INDUCTIVE LOAD
HEAT-SINK
MOUNTING, TC
4"x4"x0.15"
COPPER PLATE
Average Rectified Forward Current, I
F
[A]
Ambient Temperature [oC]
Forward Current Derating Curve
Forward Characteristics
0.10.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4
1
10
100
FORWARD VOLTAGE (V)
FORWARD C
T = 25 C
A
o
Pulse Width = 300
μs
1% Duty Cycle
Reverse Characteristics
0.010 20406080100120140
0.1
1
10
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAG E (%)
REVERSE C
T = 100 C
C
o
T = 25 C
A
o
Non-Repetitive Surge Current
012 51020 50100
40
80
120
160
200
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FORWAR
T = 105 C
A
o
Junction Capacitance
101 5 10 50 100
50
100
400
REVERSE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
T = 25 C
A
o
f = 1.0 MHz
Visg = 50m Vp-p
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PDF描述 |
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