参数资料
型号: BAV21TR
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 60K
描述: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO-35
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 250V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装: DO-35
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: BAV21FSCT
B
A
V19 / BA
V20 / BA
V21
BAV19/20/21, Rev.
C
Typical Characteristics (continued)
Small Signal Diode
(continued)
Ta= -40 C°°
1000.001 0.003 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10
200
300
400
500
600
700
800
900
Ta= 25 C°
Ta= +80 C°
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
Figure 7. Forward Voltage
vs Ambient Temperature
VF - 1.0 uA - 10 mA (-40 to +80 Deg C)
02468101214
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Ta= 25 C°
Total Capacitance [pF]
Reverse Voltage [V]
Figure 8. Total Capacitance
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
20
30
40
50
IF
= I
R
= 30 mA
Rloop = 100 Ohms
Reverse Recovery Time [nS]
Reverse Recovery Current, Irr
[mA]
050100150
0
100
200
300
400
IF(AV
)
-
AV
ERAGE R
ECTI
FIED
C
URREN
T
-
m
A
Current [mA]
Ambient Temperature, TA
[ C]
Figure 9. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current
Figure 10. Average Rectified Current (IF(AV))
versus Ambient Temperature (TA)
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
DO-35 Pkg
SOT-23 Pkg
Power Dissipation, P
D
[mW]
Average Temperature, IO
[ C]
Figure 11. Power Derating Curve
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