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参数资料
| 型号： | BAW62 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 27K |
| 描述： | DIODE HI COND 75V 300MA DO-35 |
| 产品变化通告： | Marking Format Change 15/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 300mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 散装 |
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
December 2004
BAW62 Rev. A
BAW62 Small Signal Diode
BAW62
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 75 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 300 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 5
μA75V
VF
Forward Voltage IF
= 5mA
0.62 0.75
V
IF
= 100mA
1.0
V
IF
= 100mA, T = 100
°C
0.93
V
IR
Reverse Leakage VR
= 20V
25
nA
VR
= 20V, T
A
= 150
°C
50
μA
VR
= 50V
200
nA
VR
= 75V
5
μA
VR
= 75V, T
A
= 150
°C
100
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0, f = 1.0MHz 2 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 10mA, I
rr
= 1mA, R
L
= 100
?, 4 ns
DO-35
Color Band Denotes Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAW76TR | DIODE HI COND 75V 300MA DO-35 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAW62,113 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW62,133 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 75V 0.25A 2-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW62,143 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 75V 0.25A 2-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW62 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODES SMALL SIGNAL ROHS COMPLIANT:NO 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIGNAL DO-35 |
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