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参数资料
| 型号： | BAV74_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 41K |
| 描述： | DIODE DUAL IN 50V 200MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
BAV70 / 74, Rev. D1
BAV70 / 74
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
TA
= 25
°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage BAV70
BAV74
70
50
V
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Value Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage BAV70
BAV74
IR
= 100
μA
75
V
IR
= 5.0
μA
50
V
VF
Forward Voltage BAV70
BAV74
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
IF
= 100mA
715
855
1.0
1.25
1.0
mV
mV
V
V
V
IR
Reverse Leakage BAV70
BAV74
VR
= 25V, T
A
= 150
°C
60
μA
VR
= 70V
5.0
μA
VR
= 70V, T
A
= 150
°C
100
μA
VR
= 50V
VR
= 50V, T
A
= 150
°C
100
μA
100
nA
CT
Total Capacitance BAV70
BAV74
VR
= 0V, f = 1.0MHz
VR
= 0V, f = 1.0MHz
1.5
2.0
pF
pF
trr
Reverse Recovery Time BAV70
BAV74
IF
= I
R
= 10mA, I
RR
= 1.0mA,
RL
= 100
?
IF
= I
R
= 10mA, I
RR
= 1.0mA,
4.0
ns
RL
= 100
?
6.0
ns
BAV70 / 74
Connection Diagram
12
3
A4
1
2
3
SOT-23
3
1
2
BAV70 A4 BAV74 JA
MARKING
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDD404SI-16 | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC |
| BAV70_D87Z | DIODE DUAL IN 70V 200MA SOT-23 |
| A7SSG-5010G | DSUB CABL-AFM50G/ AE50G / AFM50G |
| TC428MJA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| VI-22T-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV74E6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BAV74L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
| BAV74LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 50V 200mA Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV74LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
| BAV74LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
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