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参数资料
| 型号： | BAV99LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 92K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 70V SOT-23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAV99LT3GOSDKR |
BAV99LT1G, SBAV99LT1G, BAV99LT3G, SBAV99LT3G
http://onsemi.com
2
OFF CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage,
(I(BR)
= 100
A)
V(BR)
100
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current,
(VR
= 100 Vdc)
(VR
= 25 Vdc, T
J
= 150
°C)
(VR
= 70 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
2.5
30
50
Adc
Diode Capacitance,
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
1.5
pF
Forward Voltage,
(IF
= 1.0 mAdc)
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mVdc
Reverse Recovery Time,
(IF
= I
R
= 10 mAdc, i
R(REC)
= 1.0 mAdc) R
L
= 100
trr
?
6.0
ns
Forward Recovery Voltage,
(I
F
= 10 mA, t
r
= 20 ns)
VFR
?
1.75
V
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Leakage Current
Figure 3. Capacitance
0.1
1
10
100
1000
0 1.1 1.20.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
TA
=
?40°C
TA
=
?55°C
TA
= 150
°C
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
TA
= 125
°C
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0 10203040506070
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 125
°C
TA
= 150
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
A)
0.45
0.47
0.49
0.51
0.53
0.55
0.57
0.59
0.61
012345678
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
d
, DIODE CAPACITANCE (pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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