参数资料
型号: BAV99T116
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 50K
描述: DIODE SWITCH HI SPEED SOT-23 TR
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA
电压 - (Vr)(最大): 75V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SSD3
包装: 标准包装
其它名称: BAV99T116DKR
BAV70 / BAW56 / BAV99
Diodes
3/3
00123456 87910
8
4
5
6
7
9
10
1
2
3
FORWARD CURRENT : IF
(mA)
REVERSE RECOVERY TIME : t
rr (
ns)
VR=6V
Fig.7 Reverse recovery time
P Type
N Type
5?
50?
100ns
0.1I
R
0
INPUT
OUTPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
PULSE GENERATOR
OUTPUT 50?
0.01μF D.U.T
trr
I
R
Fig.8 Reverse recovery time (trr) measurement circuit
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BAV99-T3 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99T-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 85V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99T-7-F 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 85V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99TA 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99TB 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES