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参数资料
| 型号： | BAV99WT1G |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT323 |
| 其它图纸： | Diode Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAV99WT1GFSDKR |
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
April 2005
BAV99WT1G Rev. A
BAV99WT1G Small Signal Diode
BAV99WT1G
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
FR-4 board (3.0
×
4.5
×
0.062” by 1.0
×
0.5” land pads)
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 70 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 270 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 460
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA70V
VF
Forward Voltage IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
715
855
1.0
1.25
mV
mV
V
V
IR
Reverse Leakage VR
= 70V
VR
= 25V, T
A
= 150
°C
VR
= 70V, T
A
= 150
°C
2.5
50
70
μA
μA
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0V, f = 1.0MHz 2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 10mA, I
RR
= 1.0mA,
RL
= 100
?
6.0 ns
Connection Diagram
3
1
12
3
FA
2
SOT-323
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PDF描述 |
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