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参数资料
| 型号： | BAW101S,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 122K |
| 描述： | DIODE DUAL 300V 250MA SOT-363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150nA @ 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 250mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | 6-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 934057353115 BAW101S T/R BAW101S T/R-ND |
DATA SHEET
Product data sheet
2003 May 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BAW101S
High voltage double diode
dbook, halfpage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAW101S-7 | DIODE ARRAY 300V 250MA SOT363 |
| BAW101V-7 | DIODE ARRAY 325V 250MA SOT563 |
| BAW156,215 | DIODE DUAL 75V 160MA SOT-23 |
| BAW156-F | DIODE SWITCH 85V 250MW SOT23-3 |
| BAW56-7 | DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAW101S-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HIGH VOLT DUAL 50ns 300V 150nA Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW101V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE |
| BAW101V-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HV DUAL SW DIODE 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW156 | 功能描述:DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| BAW156 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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