参数资料
型号: BAW101S,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 6/9页
文件大小: 122K
描述: DIODE DUAL 300V 250MA SOT-363
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150nA @ 250V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 250mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: 6-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 934057353115
BAW101S T/R
BAW101S T/R-ND
2003 May 13 6
NXP Semiconductors
Product data sheet
High voltage double diode BAW101S
handbook, halfpage400
0
050100 200150
Tamb
(
°C)
VR
(V)
300
100
200
MLE060
Fig.7 Maximum permissible continuous reverse
voltage as a function of ambient
temperature.
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BAW101S-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 HIGH VOLT DUAL 50ns 300V 150nA Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAW101V 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE
BAW101V-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 HV DUAL SW DIODE 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAW156 功能描述:DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管,整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):5A 电压 - (Vr)(最大):600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
BAW156 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: