参数资料
型号: BAV99WT1G
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 87K
描述: DIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT323
其它图纸: Diode Circuit
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2.5µA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA
电压 - (Vr)(最大): 70V
反向恢复时间(trr): 6ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SOT-323
包装: 标准包装
产品目录页面: 1611 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BAV99WT1GFSDKR
2
www.fairchildsemi.com
BAV99WT1G Rev. A
BAV99WT1G Small Signal Diode
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Power Voltage Characteristics Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. Total Capacitance Figure 4. Power Derating Curve
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
75 °C
25 °C
100 °C
125 °C
Forward Voltage Drop, VF[V]
Forward Current, I
F
[A]
20 40 60
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
125 °C
100 °C
75 °C
25 °C
Reverse Current, I
R
[A]
Reverse Voltage, VR[V]
0246810
1.65
1.68
1.70
1.73
1.75
1.78
1.80
Juntion Capacitance, C
J
[pF]
Reverse Voltage, VR[V]
0 25 50 75 100 125 150
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case Temperature, TC[°C]
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BAV99WT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode
BAV99WT1H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BAV99W-T3 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99WTT 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 150mA 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99WT-TP 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 150mA 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube