- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录71 > BAW56 (Fairchild Semiconductor)DIODE SS 85V 200MA SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BAW56 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 29K |
| 描述： | DIODE SS 85V 200MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 其它图纸： | Diode Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 85V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAW56FSDKR |
BA
W56
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
BAW56, Rev. C
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
BAW56
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 85 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
1
2
3
A1
12
3
Connection Diagram
3
1
2
SOT-23
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 5.0 μA
85
V
VF
Forward Voltage I
F = 1.0 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
715
855
1.0
1.25
mV
mV
V
V
IR
Reverse Current
VR = 70 V
VR = 25 V, TA = 150°C
30
μA
50
μA
VR = 70 V, TA = 150°C
2.5
μA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,
6.0 ns
RL = 100 ?
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAW74 | DIODE HI COND 50V 200MA SOT-23 |
| BC56-11EWA | DISPLAY 627NM RED 3DIG 0.56" TH |
| BC56-11GWA | DISPLAY 565NM GRN 3DIG 0.56" TH |
| BC56-11SRWA | DISPLAY 660NM RED 3DIG 0.56" TH |
| BC56-11YWA | DISPLAY 590NM YLW 3DIG 0.56" TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAW56 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BAW56 E-6327 | 制造商:Siemens 功能描述: |
| BAW56 MCC | 制造商:MCC 功能描述:HIGH SPEED 85V SMD (Surface Mount) Switching Diode SOT-23 Dual Common Anode 350mW 制造商:MCC 功能描述:HIGH SPEED 85V SMD (Surface Mount) Switching Diode SOT-23 Dual Common Anode 350mW - free partial T/R at 500. |
| BAW56 NXP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:HIGH SPEED 85V SMD (Surface Mount) Switching Diode SOT-23 Dual Common Anode 250mW RoHS 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:HIGH SPEED 85V SMD (Surface Mount) Switching Diode SOT-23 Dual Common Anode 250mW RoHS - free partial T/R at 500. |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。