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参数资料
| 型号： | BAW56LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL CA 70V SOT23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAW56LT1GOSDKR |
BAW56LT1G, SBAW56LT1G, BAW56LT3G, SBAW56LT3G
http://onsemi.com
3
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
TA
= 85
°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
1.75
0.750
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.5
1.25
1.0
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Capacitance
TA
= -
°C
TA
= 25
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
Curves Applicable to Each Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAW56M3T5G | DIODE ARRAY 75V 200MA SOT723 |
| BAW56TT1G | DIODE SWITCH DUAL 70V SC75-3 |
| BAW56W-7 | DIODE DUAL SW 75V 200MW SC70-3 |
| BAW56WT1G | DIODE SWITCH DUAL CA 70V SOT323 |
| BAW56 | DIODE SS 85V 200MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAW56LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE, 70V, 200mA, SOT-23 |
| BAW56LT3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56M | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:High-speed switching diodes |
| BAW56M T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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