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参数资料
| 型号： | BAW56LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL CA 70V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAW56LT3GOSDKR |
BAW56LT1G, SBAW56LT1G, BAW56LT3G, SBAW56LT3G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
(Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
A)
V(BR)
70
?
V
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 25 V, T
J
= 150
°C)
(VR
= 70 V)
(VR
= 70 V, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
30
2.5
50
A
Diode Capacitance
(VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mA)
(IF
= 10 mA)
(IF
= 50 mA)
(IF
= 150 mA)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mV
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mA, I
R(REC)
= 1.0 mA) (Figure 1) R
L
= 100
trr
?
6.0
ns
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 84SN-BB2-001-N | KEYPAD 16 BTN 4X4 SEALED |
| 3386F-1-223TLF | TRIMMER 22K OHM 0.5W TH |
| 84SN-AB2-113-N | KEYPAD 12 BTN 3X4 SEALED |
| 3006Y-1-505LF | TRIMMER 5M OHM 0.75W TH |
| UB26SKW035C-JJ | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 5A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAW56M | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:High-speed switching diodes |
| BAW56M T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56M,315 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56M3T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAW56-MR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DIODE BAW56 MINIREEL 500PCS |
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