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参数资料
| 型号： | BAX16TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 420K |
| 描述： | DIODE GP 150V 200MA DO-35 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 1mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 120ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 150V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 B A X 1 6 — H i g h V o l t a g e G e n e r a l P u r p o s e D i o d e ? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com BAX16 Rev. 1.0.0 1 April 2008 BAX16 High Voltage General Purpose Diode Absolute Maximum Ratings * Ta = 25°C unless otherwise noted * These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. Notes: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. Electrical Characteristics * Ta = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Unit VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 150 V IF(AV) Average Rectified Forward Current 200 mA if Recurrent Peak Forward Current 600 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 s Pulse Width = 1.0 ms 1 4 A A TSTG Storage Temperature Range -65 to 200 °C TJ Operating Junction Temperature 175 °C Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units VR Breakdown Voltage IR = 100mA 180 V VF Forward Voltage IF = 1.0mA 0.65 V VFP Forward Voltage Pulse Width = 300ms IF = 100mA IF = 200mA 1.3 1.5 IR Reverse Leakage VR = 50V VR = 50V, TA = 150°C VR = 150V VR = 150V, TA = 150°C 25 25 100 100 nA mA nA mA trr Reverse Recovery Time IF = 30mA, IR = 30mA, Irr = 1.0mA, RL = 100W 120 ns DO-35 Glass case COLOR BAND DENOTES CATHODE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32794D2156K | CAP FILM 15UF 630VDC RADIAL |
| RB521S30T5G | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD523 |
| GCM06DCTT | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| LB16CGG01-5F-JF | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| LB15WKG01-FJ | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAX16TR_Q | 功能描述:整流器 150V 200mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAX17 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:D0-35 |
| BAX18 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:General purpose diode |
| BAX280 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:FRED Diode (VRRM 1000 V IFRMS 5.5 A 55 ns Soft recovery characteristics) |
| BAXXBC0_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1A Secondary LDO Regulators for Local Power Supplies |
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