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参数资料
| 型号： | BC54-10PA |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 45伏，1安NPN型中等功率晶体管 |
| 封装： | BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1 |
| 文件页数： | 4/22页 |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | BC54-10PA |
BCP54_BCX54_BC54PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 21 October 2011
4 of 22
NXP Semiconductors
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
5. Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
[4]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated and standard footprint.
[5]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
45
45
5
1
2
Unit
V
V
V
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
I
B
I
BM
base current
peak base current
-
-
0.3
0.3
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
T
amb
25
C
P
tot
total power dissipation
BCP54
[1]
-
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
[2]
-
[3]
-
BCX54
[1]
-
[2]
-
[3]
-
BC54PA
[1]
-
[2]
-
[3]
-
[4]
-
[5]
-
T
j
T
amb
T
stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
55
65
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC54-16PA | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
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| BC54-10PASX | 功能描述:IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:420mW 频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD，无引线 供应商器件封装:DFN2020D-3 标准包装:1 |
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| BC54-16PA,115 | 功能描述:MOSFET 45 V, 1 A NPN medium power transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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