- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223453 > BC636-AMMO (NXP SEMICONDUCTORS) 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BC636-AMMO |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | BC636-AMMO |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC818R-16-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC847A-TAPE-13 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC847AR-TAPE-7 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC847R-TAPE-13 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC847B-TAPE-7 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC636BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC636BU_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications |
| BC636T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC636TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC636TA_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。