参数资料
型号: BC847A-TAPE-13
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/4页
文件大小: 60K
代理商: BC847A-TAPE-13
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PDF描述
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参数描述
BC847ATC 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847ATDG 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847A-TP 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AT-T 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847ATT1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon