型号: | BC847A-TAPE-13 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 60K |
代理商: | BC847A-TAPE-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BC847AR-TAPE-7 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BC847ATC | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847ATDG | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
BC847A-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847AT-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847ATT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |