型号: | BC848B-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 72K |
代理商: | BC848B-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
BC857AW-13 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC857A | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
BC879,112 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
BCL-112-PL | COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
BCL-30516-PL | COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BC848B-13-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Small SIG 30V 30V VCEO 5.0V VEBO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC848B215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V 100MA 3-S |
BC848B-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC848B-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC848BDW1T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |