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参数资料
| 型号： | BC850BTR |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | BC850BTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC847B-13 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC848B-13 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC857AW-13 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC857A | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC879,112 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC850BW | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor NPN AF input 45V 100mA SOT323 |
| BC850BW /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC850BW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC850BW RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC850BW RFG | 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 |
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