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参数资料
| 型号： | BC857BT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | BC857BT/R |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2003 Apr 09
2004 Jan 16
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856; BC857; BC858
PNP general purpose transistors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCL-A2SMYG1 | PCB CONNECTOR, SOCKET |
| BCP-3.3/15-2.5/15-D24L1 | 2-OUTPUT 50 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| BCR162F | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCR39PN | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCS-109-F-D-DE | 18 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC857BTT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BTT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:General Purpose Transistor |
| BC857BTT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BUSTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BUSTC | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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