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参数资料
| 型号： | BC857BT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | BC857BT/R |
2004 Jan 16
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856; BC857; BC858
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 30 V; IE = 0
1
15
nA
VCB = 30 V; IE = 0;
Tj = 150 °C
4
μA
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB = 5 V; IC = 0
100
nA
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5 V
BC856
125
475
BC857
125
800
BC856A; BC857A
125
250
BC856B; BC857B; BC858B
220
475
BC857C
420
800
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
75
300
mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA;
note 1
250
650
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
700
mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA;
note 1
850
mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V
600
650
750
mV
IC = 10 mA; VCE = 5 V
820
mV
Cc
collector capacitance
VCB = 10 V; IE = Ie = 0;
f = 1 MHz
4.5
pF
fT
transition frequency
VCE = 5 V; IC = 10 mA;
f = 100 MHz
100
MHz
F
noise figure
IC = 200 μA; VCE = 5 V;
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
2
10
dB
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