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参数资料
| 型号： | BC857UF |
| 厂商： | AUK Corp |
| 英文描述： | PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
| 中文描述： | 进步党硅晶体管（通用应用交换应用） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | BC857UF |
KST-3042-001
2
BC857UF
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°°°°C)
Characteristic
Symbol
Ratings
Unit
Collector-Base voltage
VCBO
-50
V
Collector-Emitter voltage
VCEO
-45
V
Emitter-Base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
IC
-100
mA
Collector dissipation
PC
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-55~150
°C
Electrical Characteristics
(Ta=25
°°°°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-Emitter breakdown voltage
BVCEO
IC=-2mA, IB=0
-45
-
V
Base -Emitter turn on voltage
VBE(ON)
VCE=-5V, IC=-2mA
-
-700
mV
Base -Emitter saturation voltage
VBE(sat)
IC=-100mA, IB=-5mA
-
-900
-
mV
Collector-Emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC=-100mA, IB=-5mA
-
-650
mV
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-35V, IE= 0
-
-15
nA
DC current gain
hFE
*
VCE=-5V, IC=-2mA
110
-
800
-
Transition frequency
fT
VCB=-5V, IC=-10mA
-
150
-
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
-
4.5
pF
Noise Figure
NF
VCE=-5V, IC=-200A,
f=1KHz,Rg=2K
-
10
dB
* : hFE rank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCM5714C | PCI BUS CONTROLLER, PBGA484 |
| BCM5802 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP144 |
| BCW34 | Bipolar NPN Device |
| BCY59C | Bipolar NPN Device in A Hermetically sealed TO18 Metal Package |
| BCY78CDWP | 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC857W | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |
| BC857W /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857W T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857W,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857W,135 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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