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参数资料
| 型号： | BC858BL3 |
| 元件分类： | 开关 |
| 英文描述： | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 525K |
| 代理商： | BC858BL3 |
A-82
APEM
www.apem.com
12000X778 series
High performance toggle switches - threaded bushing 11,9 (15/32)
Fully sealed - matt black
A
Straight PC terminals - four pole L
Straight PC terminals - three pole L
Straight PC terminals - double pole L
I
II
III
12246 X778
ON
-
ON
I
II
III
12256 X778
ON
-ON
I
II
III
12266 X778
ON
-
ON
PANEL CUT
-OUT
STANDARD HARDWARE
Hex nut
U41
(matt black)
Positions and connections, see next page.
L
Models with straight PC terminals are also available with 3,5 mm (.138) short
terminals, functions 6, 9, 7 and 8
. On request.
Flat
(.681)
(.409)
(.594)
(.
6
2
9
)
(.629)
24
(15/32-32UNS)
EPOXY
(.
1
5
7
)
I
II
III
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10.40
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11.90-32UNS
4
.0
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D
IA
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(.
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.0
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(.059)
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D
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(15/32-32UNS)
14.00
2.30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BC858BL3E6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TSLP T/R |
| BC858BLT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BLT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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