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参数资料
| 型号： | BCP54 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 45伏，1安NPN型中等功率晶体管 |
| 封装： | BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1 |
| 文件页数： | 4/22页 |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | BCP54 |
BCP54_BCX54_BC54PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 21 October 2011
4 of 22
NXP Semiconductors
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
5. Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
[4]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated and standard footprint.
[5]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
45
45
5
1
2
Unit
V
V
V
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
I
B
I
BM
base current
peak base current
-
-
0.3
0.3
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
T
amb
25
C
P
tot
total power dissipation
BCP54
[1]
-
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
[2]
-
[3]
-
BCX54
[1]
-
[2]
-
[3]
-
BC54PA
[1]
-
[2]
-
[3]
-
[4]
-
[5]
-
T
j
T
amb
T
stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
55
65
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