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参数资料
| 型号： | BCX54-10 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 45伏，1安NPN型中等功率晶体管 |
| 封装： | BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1 |
| 文件页数： | 13/22页 |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | BCX54-10 |
BCP54_BCX54_BC54PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 21 October 2011
13 of 22
NXP Semiconductors
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55
C
Fig 15. DC current gain as a function of collector
current; typical values
T
amb
= 25
C
Fig 16. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
=
55
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
= 100
C
Fig 17. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 100
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55
C
Fig 18. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aac691
100
200
300
h
FE
0
10
–4
I
C
(A)
10
1
10
–3
10
–1
10
–2
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0
2.0
1.6
0.8
1.2
0.4
006aaa084
0.8
0.4
1.2
1.6
I
C
(A)
0
25
20
15
10
5
I
B
(mA) = 50
45
40
35
30
006aac692
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
–1
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
006aac693
I
C
(mA)
10
–1
10
4
10
3
1
10
2
10
10
–1
1
V
CEsat
(V)
10
–2
(1)
(2)
(3)
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PDF描述 |
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