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参数资料
| 型号： | BCX54-10 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 45伏，1安NPN型中等功率晶体管 |
| 封装： | BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1 |
| 文件页数： | 19/22页 |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | BCX54-10 |
BCP54_BCX54_BC54PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 21 October 2011
19 of 22
NXP Semiconductors
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
12. Revision history
Table 10.
Document ID
BCP54_BCX54_BC54PA v.8
Modifications:
Revision history
Release date
20111021
Type number removed: BC635
Type numbers added: BC54PA, BC54-10PA and BC54-16PA
Section 1 “Product profile”
: updated
Section 2 “Pinning information”
: updated
Table 6
and
7
: updated according to latest measurements
Figure 1
,
2
,
4
,
5
,
7
to
9
,
15
,
17
and
18
: updated
Figure 3
,
6
,
10
to
14
: added
Section 8 “Test information”
: added
Section 10 “Packing information”
: updated
Section 11 “Soldering”
: added
Section 13 “Legal information”
: updated
20070604
Product data sheet
20050225
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BC635_BCP54_BCX54 v.7
BC635_BCP54_BCX54 v.7
BC635_BCP54_BCX54 v.6
-
CPCN2004050
29
BC635_BCP54_BCX54 v.6
BC635_637_639 v.4
BCP54_55_56 v.5
BCX54_55_56 v.4
BC635_637_639 v.3
BCP54_55_56 v.4
BCX54_55_56 v.3
BC635_637_639 v.4
BCP54_55_56 v.5
BCX54_55_56 v.4
20011010
20030206
20011010
Product specification
Product specification
Product specification
-
-
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX54-16 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BF1100WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BCX54-10 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX54-10,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX54-10115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MED PWR N 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT89 |
| BCX54-10-BC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX5410E6327 | 功能描述:TRANS NPN AF 45V SOT-89 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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