参数资料
| 型号： | BD8629FS-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR SUPP 2A W/FET SSOP-A16 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，平面电视 |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 6 V |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -10°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-LSOP（0.175"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SSOPA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BD8629FS
● Electrical characteristic
(Unless otherwise noted Ta=25 ℃ , V IN =5.6V)
Technical Note
Parameter
Symbol
Specification value
MIN TYP MAX
UNIT
Condition
VIN supply current (operating) I Q_active
- 1.3 2.0 mA V FB = 0.83V, V FC = 1V
VIN supply current (standby) I Q_stby
- 350 700
μ A
V EN = 0V
Reference voltage (VREF)
Output rise detection voltage
V REF
V OVP
0.792 0.8 0.808 V
30 60 90 mV Monitoring FB terminal
Output decrease detection voltage V LVP
Terminal PDET output current I PDET
-90 -60 -30 mV Monitoring FB terminal
1 - - mA V PDET < 0.5V
Oscillation frequency
Pch FET ON resistance
Nch FET ON resistance
UVLO voltage
f OSC
R PFET
R NFET
V UVLO
500 550 600 kHz
- 170 240 m Ω
- 130 200 m Ω
3.8 4.0 4.2 V
R OSC = 220k Ω
I SW = 1A
I SW = -1A
SW leak current
I LSW
- 0 1
μ A
V EN = 0V, V IN = 6V
EN terminal H threshold voltage V ENH
EN terminal L threshold voltage V ENL
2.0 - - V
- - 0.5 V
SS/DELAY terminal source current I SSSO
2 4 6
μ A
V FB :FB terminal voltage, V EN :EN terminal voltage, V FC :FC terminal voltage, V PDET : PDET terminal voltage
Current capability should not exceed Pd.
Permissible loss
1
(70mm×70mm, thickness 1.6mm, and one layer glass epoxy substrates)
When mounting substrate
0.75
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
Surrounding temperature ： Ta [ ℃ ]
Fig. 1 heat decrease curve
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? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
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