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参数资料
| 型号： | BDX47 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | PNP Darlington transistors |
| 中文描述： | 1 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | PLASTIC, TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | BDX47 |
1997 Jul 02
6
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistors
BDX45; BDX47
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e1
L
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.88
0.65
2.7
2.3
0.60
0.45
11.1
10.5
7.8
7.2
2.29
e
4.58
0.254
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
16.5
15.3
1.5
0.9
L1
(1)
max
2.54
SOT32
TO-126
97-03-04
0
2.5
5 mm
scale
A
Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads
SOT32
D
P1
P
E
e1
A
L
Q
c
bp
1
2
3
L1
w
M
e
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDY26A | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:275Vrms; Suppressor Type:Transient Voltage; Voltage Rating DC, Vdc:369VDC; Peak Surge Current @ 8/20uS:500A; Clamping Voltage 8/20us Max :710V; Peak Energy (10/1000uS):23J RoHS Compliant: Yes |
| BDY26B | Varistor; Voltage Rating AC, Vrms:275Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:369VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:400A; Clamping Voltage 8/20us Max :710V; Peak Energy (10/1000uS):11J; Capacitance, Cd:45pF; Package/Case:5mm Disc |
| BDY26C | VARISTOR 470V 12J 5MM RADIAL ZA |
| BDY27AS | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:30Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:38VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:500A; Clamping Voltage 8/20us Max :93V; Peak Energy (10/1000uS):4.5J; Capacitance, Cd:2000pF |
| BDY27B | VARISTOR, 105J 480VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BDX53 | 功能描述:达林顿晶体管 60W 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX53A | 功能描述:达林顿晶体管 60W 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX53A-S | 功能描述:达林顿晶体管 60V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX53ATU | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX53B | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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