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参数资料
| 型号： | BDX54C |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率达林顿晶体管（功率达林顿晶体管） |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | BDX54C |
BDX53A/53B/53C
BDX54B/54C
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
s
BDX53B, BDX53C, BDX54B AND BDX54C
ARE SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPES
APPLICATIONS
s
AUDIO AMPLIFIERS
s
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BDX53A, BDX53B and BDX53C are silicon
epitaxial-base
NPN
power
transistors
in
monolithic
Darlington
configuration
and
are
mounted in Jedec TO-220 plastic package. They
are intented for use in hammer drivers, audio
amplifiers and other medium power linear and
switching applications.
The complementary PNP types for BDX53B and
BDX53C
are
the
BDX54B
and
BDX54C
respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Uni t
NPN
BDX53A
BDX53B
BDX53C
PNP
BDX54B
BDX54C
VCBO
Collector-Base Voltage (IE =0)
60
80
100
V
VCEO
Collector-Emit ter Voltage (IB =0)
60
80
100
V
VEBO
Emitter-base Volt age (IC =0)
5
V
IC
Collector Current
8
A
ICM
Collector Peak Current (repet itive)
12
A
IB
Base Current
0.2
A
Ptot
Tot al Dissipation at Tc
≤ 25 oC60
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. O perat ing Junction Temperature
150
oC
1
2
3
TO-220
R1 Typ. = 10 K
R2 Typ. = 150
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PDF描述 |
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