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参数资料
| 型号： | BDX54F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| 中文描述： | 互补硅功率达林顿晶体管（互补硅功率达林顿晶体管） |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BDX54F |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
2.08
70
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEO
Collector Cut-off
Current (IE = 0)
VCB = 80 V
0.5
mA
ICBO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCB = 160 V
0.2
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
5mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 50 mA
160
V
VCE(sat)
Collector-emitter
Saturation Voltage
IC = 2 A
IB =10 mA
2
V
VBE(sat)
Base-emitter
Saturation Voltage
IC = 2 A
IB =10 mA
2.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 2 A
VCE = 5 V
IC = 3 A
VCE = 5 V
500
150
VF
Parallel Diode Forward
Voltage
IF = 2 A
2.5
V
hfe
Small Signal Current
Gain
IC = 0.5 A
f = 1MHz
VCE = 2 V
20
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
BDX53F / BDX54F
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