- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378409 > BF1101 (NXP Semiconductors N.V.) N-channel dual-gate MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BF1101 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1101<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | BF1101 |
1999 May 14
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101; BF1101R; BF1101WR
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
4.1
8.1
16.1
23.9
31.6
38.8
45.7
52.2
58.4
64.5
70.3
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
2.2
4.3
8.5
12.6
16.8
20.8
24.7
28.5
32.2
35.8
39.6
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.985
0.976
0.963
0.949
0.933
0.916
0.897
0.877
0.856
0.832
2.922
2.908
2.875
2.820
2.762
2.665
2.591
2.498
2.410
2.318
2.214
175.0
170.3
160.8
157.6
142.6
134.1
125.7
117.7
109.6
101.6
94.2
0.001
0.001
0.003
0.004
0.005
0.005
0.005
0.006
0.005
0.006
0.006
87.6
86.1
83.3
80.4
78.2
77.8
78.9
81.8
89.1
97.1
110.4
0.990
0.989
0.985
0.982
0.977
0.972
0.967
0.961
0.957
0.950
0.946
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
1.5
0.715
58.3
37.85
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101WR | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1101,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1101R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1101R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1101WR | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1101WR,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 N-CH DUAL GATE 7V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。