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参数资料
| 型号： | BF1207 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1207<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 11/23页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | BF1207 |
BF1207
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
11 of 23
NXP Semiconductors
BF1207
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.1.2
Scattering parameters for amplifier A
Table 9.
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(A)
= 18 mA; V
DS(B)
= 0 V; V
G1-S(B)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f
(MHz)
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
(deg)
50
0.987
4.169
2.87
175.5
100
0.983
8.109
2.95
171.14
200
0.976
15.97
2.93
162.44
300
0.966
23.844
2.89
153.77
400
0.952
31.575
2.84
145.23
500
0.935
35.225
2.78
136.82
600
0.917
46.678
2.72
128.50
700
0.898
54.094
2.65
120.44
800
0.876
61.205
2.57
112.33
900
0.852
68.299
2.49
104.32
1000
0.826
75.321
2.41
96.42
Scattering parameters for amplifier A
s
11
s
21
Magnitude
s
12
Magnitude
(ratio)
0.0008
0.0015
0.0028
0.0041
0.0053
0.0063
0.0072
0.0079
0.0084
0.0089
0.0091
s
22
Magnitude
(ratio)
0.992
0.992
0.990
0.989
0.986
0.984
0.981
0.977
0.974
0.970
0.967
Angle
Angle
Angle
(deg)
83.82
82.08
77.50
73.45
69.42
65.72
61.48
58.05
52.74
48.61
43.86
Angle
(deg)
1.42
2.86
5.66
8.49
11.28
14.03
16.80
19.55
22.32
25.10
27.88
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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| BF1208 T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1208,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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