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参数资料
型号： BF1207
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1207<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件页数： 17/23页
文件大小： 270K
代理商： BF1207
BF1207
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
17 of 23
NXP Semiconductors
BF1207
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.2.2
Scattering parameters for amplifier B
Table 11.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 14 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f
(MHz)
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
(deg)
50
0.993
3.018 3.07
176.04 0.0004
100
0.992
6.186 3.07
172.05 0.0011
200
0.987
12.43 3.09
164.13 0.0024
300
0.979
18.60 3.02
156.28 0.0036
400
0.969
24.62 2.99
148.48 0.0046
500
0.957
30.72 2.95
140.69 0.0056
600
0.943
36.71 2.90
132.87 0.0065
700
0.927
42.77 2.86
125.21 0.0074
800
0.907
48.91 2.79
117.22
900
0.885
54.77 2.736
109.29 0.0086
1000
0.858
61.01 2.675
101.18 0.0092
Scattering parameters for amplifier B
s
11
s
21
Magnitude
s
12
Magnitude
(ratio)
s
22
Magnitude
(ratio)
0.991
0.990
0.988
0.986
0.983
0.980
0.977
0.973
0.969
0.964
0.958
Angle
Angle
Angle
(deg)
95.97
90.33
85.03
82.94
81.97
81.03
79.77
79.04
79.42
75.47
73.48
Angle
(deg)
1.39
2.79
5.49
8.21
10.91
13.63
16.40
19.13
21.93
24.85
27.75
0.0082
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