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参数资料
| 型号： | BF1211R |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1211R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | BF1211R |
2003 Dec 16
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1211; BF1211R; BF1211WR
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.86
7.73
15.25
22.84
30.15
30.25
44.24
51.16
58.16
65.15
72.22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.58
3.14
6.31
9.41
12.48
15.54
18.59
21.65
24.27
27.79
30.94
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.985
0.979
0.965
0.949
0.929
0.904
0.876
0.846
0.816
0.791
2.928
2.921
2.807
2.846
2.784
2.704
2.639
2.558
2.486
2.402
2.315
175.8
171.6
163.2
155.0
146.7
138.9
130.9
123.0
115.1
107.2
99.9
0.0005
0.0010
0.0015
0.0028
0.0034
0.0037
0.0040
0.0039
0.0037
0.0032
0.0028
89.3
86.9
91.1
77.4
74.0
71.4
69.6
69.0
70.0
74.5
87.1
0.993
0.993
0.993
0.988
0.985
0.981
0.976
0.971
0.965
0.960
0.956
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
0.9
1.3
0.693
0.707
16.75
37.33
29.85
29.90
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