收藏本站
参数资料
型号： BF245A
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： JFETs
英文描述： N-channel FET
封装： BF245A<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,;BF245A<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,;
文件页数： 9/13页
文件大小： 286K
代理商： BF245A
1996 Jul 30
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B; BF245C
Fig.20 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage;
typical values.
V
DS
= 0; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
RDSon
(k
Ω
)
3
10
1
1
10
10
2
4
2
1
0
MGE790
3
BF245A
BF245B
BF245C
VGS (V)
Fig.21 Noise figure as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; R
G
= 1 k
; T
amb
= 25
C.
Input tuned to minimum noise.
handbook, halfpage
0
MGE786
1
10
typ
10
2
10
3
1
2
F
(dB)
f (MHz)
相关PDF资料
PDF描述
BF245B N-channel FET
BF245C N-channel FET
BF510 N-channel silicon FET
BF511 N-channel silicon FET
BF512 N-channel silicon FET
相关代理商/技术参数
参数描述
BF245A,112 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245A,126 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 30V 25mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
BF245A/0 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 500UA I(DSS) | TO-92VAR
BF245A/2 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3MA I(DSS) | TO-92VAR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*