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参数资料
| 型号： | BF245B |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF245B<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,;BF245B<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BF245B |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1995
1996 Jul 30
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF245A; BF245B; BF245C
N-channel silicon field-effect
transistors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF245C | N-channel FET |
| BF510 | N-channel silicon FET |
| BF511 | N-channel silicon FET |
| BF512 | N-channel silicon FET |
| BF513 | N-channel silicon FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245B WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BF245B AMO | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
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