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参数资料
| 型号： | BF245B |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF245B<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,;BF245B<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BF245B |
1996 Jul 30
2
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B;
BF245C
FEATURES
Interchangeability of drain and source connections
Frequencies up to 700 MHz.
APPLICATIONS
LF, HF and DC amplifiers.
DESCRIPTION
General purpose N-channel symmetrical junction
field-effect transistors in a plastic TO-92 variant package.
PINNING
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package. The
gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
d
s
g
drain
source
gate
Fig.1
Simplified outline (TO-92 variant)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM257
s
d
g
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
30
8
30
UNIT
V
DS
V
GSoff
V
GSO
I
DSS
drain-source voltage
gate-source cut-off voltage
gate-source voltage
drain current
BF245A
BF245B
BF245C
total power dissipation
forward transfer admittance
0.25
V
V
V
I
D
= 10 nA; V
DS
= 15 V
open drain
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0
2
6
12
3
6.5
15
25
300
6.5
mA
mA
mA
mW
mS
P
tot
y
fs
T
amb
= 75
C
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0;
f = 1 kHz; T
amb
= 25
C
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
C
C
rs
reverse transfer capacitance
1.1
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF245C | N-channel FET |
| BF510 | N-channel silicon FET |
| BF511 | N-channel silicon FET |
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| BF245B,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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