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参数资料
| 型号： | BF245B,112 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 描述： | JFET N-CH 30V 25MA TO-92 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 15mA |
| 噪音数据： | 1.5dB |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 568-5599 933114330112 BF245B,112-ND BF245BP BF245BP-ND |
1996 Jul 30
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC JEDEC JEITA
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1(1)
max
L2
max
2.5 2.5
b1
0.66
0.55
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54 variant
A
L
0
2.5 5 mm
scale
b
c
D
b1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads (on-circle)
SOT54 variant
1
2
3
L2
e1
e
e1
04-06-28
05-01-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDV19EF620JO3F | CAP MICA 62PF 1KV 5% RADIAL |
| E2011 | SW TOGGLE SPST 3A SLD LUG |
| 3296Y-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| BF245A,112 | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92-3 |
| CWX815-50.0M | OSC 50.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245C | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| BF245C_D26Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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